Специалисты Samsung открыли новый материал для полупроводниковых изделий
Открытие сделано в сотрудничестве со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Исследователи, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Как утверждается, оно может ускорить появление полупроводниковых материалов следующего поколения.
Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади. В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен.
Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придет ему уникальное отличие. Недавно открытый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота.
Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи. Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C.
Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади. В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен.
Открытие сделано в сотрудничестве со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Исследователи, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Как утверждается, оно может ускорить появление полупроводниковых материалов следующего поколения.
Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи. Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C.
Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придет ему уникальное отличие. Недавно открытый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота.
Дата публикации: 06-07-2020
Ещё новости
26.08.2022 Появились результаты тестирования китайских процессоров Zhaoxin KaiSheng KH-40000 с архитектурой x86
Хотя эта серия пока не представлена, но данные указывают, что релиз может быть довольно скоро. В базе данных бенчмарка Geekbench 5 появились сведения о производительности процессоров KaiSheng KH-40000...
27.08.2022 Bitcoin упал на 6%, Ethereum – на все 10,5%. Главные криптовалюты мира все никак не выберутся из ямы, в которую их загоняет американский регулятор
Bitcoin тоже упал, но не так сильно: минус 6% и актуальный курс — чуть больше 20 000 долларов. Ethereum не помогает намеченное на 15 сентября объединение сетей и последующий переход на алгоритм...
27.08.2022 Ядер больше, но частоты ниже. Раскрыты частоты процессоров Core i5-13400 и i5-13500, и они ниже, чем у нынешних Intel Core i5-12400 и Core i5-12500
Судя по данным из базы PassMark, частоты у них будут заметно ниже, чем у нынешних Core i5–12400 и Core i5–12500. О перспективных флагманских процессорах Intel Raptor Lake уже много говорилось, а сейчас...
26.08.2022 Народные GeForce RTX 4060 и RTX 4060 Ti будут работать на частоте свыше 2,6 ГГц. Производительность RTX 4060 Ti окажется на уровне RTX 3080
Согласно данным информатора, старшая модель набирает около 8600 баллов, средняя частота ее GPU — около 2,6 ГГц, а потребление энергии при этом составляет 270–280 Вт. Инсайдер опубликовал результаты...
19.10.2022 Вышел Node.js 19.0
Все новости
О компании
12325772
