Российские ученые радикально улучшили полупроводники для радаров  

Российские ученые радикально улучшили полупроводники для радаров

Но проблемой при процессе синтеза является кислород, который может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводникового материала GaN, изменяя электрофизические свойства. Основной составляющей СВЧ-устройств являются транзисторы с высокой подвижностью электронов, которые создаются с помощью нитрида галлия (GaN), что позволяет снизить число транзисторов в каскадах СВЧ-устройств, увеличить их мощность и обеспечить стабильность работы при повышенных температурах, наличии радиационного фона. В том числе приводя к тому, что нитрид галлия начинает проводить ток, там где должен выступать в качестве диэлектрика.

Нитрид-галлиевые транзисторы создаются на основе полупроводниковых гетероструктур, содержащих несколько слоев. «Мы смогли избавиться от паразитной проводимости в буферном слое нитрида галлия, выбрав определенные параметры условий роста. Именно в этом слое находится двумерный электронный газ — проводящий элемент транзистора. Один из них — буферный — должен иметь высокое сопротивление. Последнее приводит к деградации электрофизических характеристик транзистора и, как следствие, уменьшению мощности транзистора», — отметил ведущий инженер-технолог лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводниковых соединений А3В5 Института физики полупроводников им. А. Однако из-за атомов кислорода, привносящих носители заряда — электроны, в буферном слое появляются токи утечки. Ржанова СО РАН Тимур Малин. В.

Решением ситуаций стал механизм манипулирования ростовыми условиями, что позволило не добавлять никаких примесей и сохранять структурное совершенство слоя нитрида галлия. Учёные ИФП СО РАН вместо дополнительного введения углерода или железа для захвата «лишних» электронов или намеренного создания дефектов в начальных слоях GaN нашли другой способ избегать проблем при синтезе полупроводникового материала.

В результате, при выращивании полупроводниковых гетероструктур мы использовали более низкие температуры (800 градусов из диапазона 800?920 градусов Цельсия) при скорости потока аммиака 250 миллилитров в минуту. «С помощью определённого математического алгоритма мы рассчитали оптимальные параметры роста для создания буферного слоя с высоким электрическим сопротивлением. Также мы убедились, что выбранные параметры не приводят к ухудшению других свойств всей многослойной полупроводниковой структуры», — заявил Малин. Это позволило снизить вхождение кислорода в буферный слой нитрида галлия.

Дата публикации: 16-09-2019

---

Ещё новости

  27.08.2022  Bitcoin упал на 6%, Ethereum – на все 10,5%. Главные криптовалюты мира все никак не выберутся из ямы, в которую их загоняет американский регулятор

Bitcoin тоже упал, но не так сильно: минус 6% и актуальный курс — чуть больше 20 000 долларов. Ethereum не помогает намеченное на 15 сентября объединение сетей и последующий переход на алгоритм...

  27.08.2022  Intel, а уже не так уж и плохо. Свежий тест видеокарты Arc A380 в огромном числе игр показал, насколько серьёзны проблемы с совместимостью

Причём были взяты аж 50 игр, вышедших в период с 1999 по 2022 год. Наши коллеги с ресурса PC Games Hardware решили протестировать видеокарту Intel Arc A380, но не с точки зрения производительности, а с...

  19.04.2023  «Старший брат» «Москвича 3»: в России начались «живые» продажи 180-сильного JAC JS6

По габаритам он сопоставим с Haval F7 и Nissan X-Trail: они составляют 4605?1890 х 1700 мм при колесной базе 2720 мм. JAC JS6 — это «старший брат» JS4, который выпускают в России под названием «Москвич...

  26.08.2022  Huawei Mate 50 Pro удивит своим экраном: вырез такой же, как у iPhone 13 Pro

Зачем Huawei понадобилось расширять вырез, когда большинство флагманов обходятся обычными врезанными камерами, — вопрос. В Сети появились новые изображения будущего флагмана Huawei Mate 50 Pro, и...

  19.10.2022  Вышел Node.js 19.0

Все новости